图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSZ130N03LS G |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 35A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 13 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 970pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | - |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16109?mpart=BSZ130N03LS%20G&vendor=448&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| P（ TOT ） | 25W |
| 匹配代码 | BSZ130N03LS G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 5K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | TSDSON-8 |
| 单位包 | 5000 |
| 标准的提前期 | 22 weeks |
| 最小起订量 | 5000 |
| Q（克） | 6.1nC |
| LLRDS （上） | 0.021Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 35A |
| V（ DS ） | 30V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.013Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Ta), 35A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 13 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 970pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
| 其他名称 | BSZ130N03LSGINCT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 35 A |
| 系列 | BSZ130N03 |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| RDS（ON） | 13 mOhms |
| 功率耗散 | 2.1 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 封装/外壳 | TSDSON-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 零件号别名 | BSZ130N03LSGATMA1 SP000278810 |
| 上升时间 | 2.6 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 2.4 ns |
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